半导体设备TXRF 310Fab理学Rigaku反射荧光X射线分析仪 半导体设备理学Rigaku反射荧光X射线分析仪 采用转子式高输出X射线发生器和新设计的入射X射线单色仪。 使用直接TXRF测量方法实现了10 8 原子/cm 2的过渡金属LLD水平。 它可实现相同的精度和高通量，测量时间仅为封闭式 X 射线管的 1/3。

半导体设备TXRF 3760理学Rigaku反射荧光X射线分析仪 半导体设备理学Rigaku反射荧光X射线分析仪 采用转子式高输出X射线发生器和新设计的入射X射线单色仪。 使用直接TXRF测量方法实现了10 8　原子/cm 2的过渡金属LLD水平。 它可实现相同的精度和高通量，测量时间仅为封闭式 X 射线管的 1/3。