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详细介绍
玉崎科学半导体设备理学Rigaku射线胶片厚度
玉崎科学半导体设备理学Rigaku射线胶片厚度
一个单元涵盖了从Be到U的所有元素,包括作为半导体材料很重要的B、C、N和O。
通过采用具有高信噪比和高分辨率的 WDX,与能量色散 X 射线荧光光谱 (EDX) 设备相比,可以实现高精度分析。使用高功率X射线管和专门为超轻元素设计的分光晶体,可以测量B、C、N和O等超轻元素,这是EDX无法实现的。此外,即使是由于Si的影响而难以用EDX分析的超薄Al膜,也可以使用高分辨率的WDX清晰地分离出峰。
实现了通用存储器、磁头等磁性材料中使用的B的高灵敏度分析。使用FP法,还可以同时分析膜厚和成分。
MgO 薄膜是 MRAM 的重要材料,可以高精度地区分 0.1 nm 的膜厚差异。预计未来薄膜将变得更薄至 0.5 nm 左右,但 AZX 400 将能够进行足够的分析。
通过使用 FP 方法,AZX 400 可以对最多 10 层层压薄膜进行全层分析。利用 STT-MRAM,可以在一种配方中分析 MgO 和 CoFeB 等重要薄膜以及 Ta、Ru、PtMn 等。
使用 SQX 软件(可选)进行半定量分析在标准样品制备困难的应用中非常有效。考虑到晶圆分析的干扰衍射线的影响,并且可以选择多个光谱,从而可以分析比传统方法宽一个数量级的膜厚。
采用大样品室,可处理最大尺寸为 φ400mm x 50(H)mm 的样品(最大重量 30kg)。为了适应各种样品形状,我们提供适合样品的适配器。从300mm晶圆的大型溅射靶材到晶圆切割,一台机器即可灵活处理。
提供 300mm FOUP 至 100mm 开放式盒式磁带(可选)。可以在夜间等进行全自动分析,提高分析工作的效率。
CCD相机(可选)可以测量异物、图案等。您可以在查看图像时设置最小直径为 0.5 mm 的任何测量点。面内分布测量一次最多支持 999 个点。此外,结合高精度样品台,实现了0.1mm步长的分析。
它基于已在其他型号中采用的软件,并已在数百种设备上使用,并且用户友好且具有多种功能。
该设备经过 SEMI 认证,这是半导体制造应用的使用标准。
・溅射靶材成分
・绝缘膜:SiO2、BPSG、PSG、AsSG、Si₃N₄、SiOF、SiON等。
・高介电常数、铁电膜:PZT、BST、SBT、Ta2O₅、HfSiOx
・金属膜:Al-Cu-Si、W、TiW、Co、TiN、TaN、Ta-Al、Ir、Pt、Ru、Au、Ni ETC。
- 电极膜:掺杂多晶硅(掺杂剂:B、N、O、P、As)、非晶硅、WSix、Pt等。
- 其他掺杂薄膜(As、P)、受限惰性气体(Ne、Ar、Kr 等)、C (DLC)
- 铁电薄膜、FRAM、MRAM、GMR、TMR。 PCM、GST、GeTe
·焊料凸块成分:SnAg、SnAgCuNi
·MEMS:ZnO、AlN、PZT
·SAW 的厚度和成分 器件工艺:AlN、ZnO、ZnS、SiO₃(压电膜)的厚度和成分 Al、AlCu 、AlSc 、AlTi(电极膜)
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