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日本ULVAC爱发科半导体化学气相沉积设备
简要描述:

日本ULVAC爱发科CC-200半导体化学气相沉积设备
日本ULVAC爱发科半导体化学气相沉积设备

  • 产品型号:CC-200
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-11-25
  • 访  问  量:22

详细介绍

日本ULVAC爱发科半导体化学气相沉积设备

日本ULVAC爱发科半导体化学气相沉积设备


负载锁定等离子体CVD设备CC-200

负载锁定等离子体CVD装置CC-200体积小且易于使用,适用于从研发到生产的一切。


特征

  • 27.12MHz高密度等离子工艺

  • SiH 4型:SiO 2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS 型:可提供 SiO 2薄膜

  • 可使用CF 4 +O 2等离子体清洁腔室

  • 与有机EL低温成膜用加热器兼容

  • 通过托盘传输支持各种尺寸的电路板

  • 真空箱允许在 C 系列单元之间进行间接连续处理(溅射:CS-200,蒸发:CV-200)。

目的

  • 功率器件

  • LED、LD、高速器件等相关化合物

  • 有机EL开发

  • 太阳能电池开发

  • 微机电系统


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