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日本ULVAC爱发科半导体溅射设备单晶圆复合
简要描述:

日本ULVAC爱发科uGmni-200/300半导体溅射设备单晶圆复合
日本ULVAC爱发科半导体溅射设备单晶圆复合

  • 产品型号:uGmni-200/300
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-11-25
  • 访  问  量:25

详细介绍

日本ULVAC爱发科半导体溅射设备单晶圆复合

日本ULVAC爱发科半导体溅射设备单晶圆复合


单晶圆复合模块式
成膜设备uGmni-200, 300

通过在同一个传输核心上安装溅射和蚀刻等多种不同工艺模块并尽可能使用通用组件,我们通过减少备件数量并通过相同操作提高可用性,实现了电子元件制造过程的更高效率我们将意识到这一点。


特征

  • 多个处理室可组合用于溅射、蚀刻、灰化、CVD 等。

      *根据工艺的不同,可能无法组合,请咨询我们。

  • 所有处理室均由 ULVAC 制造

  • 兼容最大Φ300mm的基材

用途

下面是一个例子。

  • 功率器件晶种和金属层形成溅射

  • MEMS 传感器 PZT 成膜及加工蚀刻

  • 光学器件VCSEL加工蚀刻

  • 高密度安装除渣灰化

  • 通信设备 绝缘膜沉积及加工 PE-CVD


规格

*这是每个工艺室的示例。
我们可以向您咨询,不限于以下内容。以下值因规格而异。


到达圧力阶段
温度
面内分布
(参考值)
成膜、加工或应用实例等离子源
6.7E-5Pa以下冷却(冷却性能单独讨论)~700度±1~5%金属、介电膜、绝缘膜直流
脉冲直流
射频
蚀刻机1.0E-3Pa以下-20~200度±5%以下金属、介电膜、绝缘膜、Si系中国共产党
ISM
(感应超级磁控管)
NLD
(中性环路放电)
引座员0.7Pa以下50-250度±5%除浮渣、除胶渣、牺牲层去除、表面改性、PR去除、PI处理微波
20-80度微波+CCP
化学气相沉积2Pa以下60-400度±1%以下绝缘膜(SiNx、SiOx)阳极耦合
双频


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