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日本ULVAC爱发科半导体间自然氧化蚀刻设备
简要描述:

日本ULVAC爱发科RISETM-300半导体间自然氧化蚀刻设备
日本ULVAC爱发科半导体间自然氧化蚀刻设备

  • 产品型号:RISETM-300
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-11-25
  • 访  问  量:17

详细介绍

日本ULVAC爱发科半导体间自然氧化蚀刻设备

日本ULVAC爱发科半导体间自然氧化蚀刻设备


间歇式自然氧化膜去除设备 RISETM-300

间歇式自然氧化膜去除设备RISE TM -300是一种间歇式预清洗设备,可以去除LSI深接触底部等难处理的自然氧化膜。兼容300mm目标晶圆。


特征

  • 实现高吞吐量和低 CoO

  • 良好的蚀刻均匀性(< ±5%/批次)和再现性

  • 干法

  • 无损坏(远程等离子体和低温工艺)

  • 与传统湿法工艺相比,自对准接触电阻降低至 1/2

  • 设备布局灵活

  • 强调可维护性

  • 50 300mm晶圆批量加工

目的

  • 用于形成自对准触点的预处理

  • 电容器形成过程中的预处理

  • 外延生长过程中的预处理

规格

模型RISETM-300
等离子源微波电源
设备配置EFEM + LL + PM
板尺寸Φ300mm
板台陶瓷舟(50只/批)
排气系统机械增压泵+DRP
控制系统FAPC+TFT触摸屏
气体导入系统3个系统
应用SAC、电容器和外延生长过程中的预处理

















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